江华、谢心澄等在拓扑电子学的耗散机制和无耗散设计原则研究中取得新进展
晶体管是现代集成电路的基本单元,它们通过电子传输实现逻辑运算。但这一过程往往伴随着能量的损耗,这些损耗以焦耳热的形式释放,成为阻碍微纳电路性能提升的一大难题。近年来,科学家们发现了一类独特的拓扑材料,特别是具有受到拓扑保护的边缘态的陈绝缘体,它们在理论上支持电子单向且无损耗地传输,具有鲁棒的量子化输运及零电阻特性,有望突破热耗散带来的性能瓶颈,被视为解决热瓶颈问题并实现“无耗散”输运的理想平台。自2013年我国科学家团队首次实验实现了零磁场下的陈绝缘体——量子反常霍尔绝缘体(Science 340, 167 (2013))以来,国内外在相关材料生长和器件制备领域取得了显著的进展,预示着拓扑系统在无耗散电子学领域将具有巨大的应用潜力,有望对未来信息电路产生深远的影响。